张永军
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郑顺奇
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吕绯
兵器材料科学与工程
引入结构参数进行镁合金圆环约束镦粗过程中成形载荷理论解析与仿真研究。结果表明：随摩擦因数的增大和结构参数的减小，成形载荷均呈现增大趋势；当恒定结构参数为0.37和应变速率为0.1 s-1，随变形温度升高，约束镦粗过程中的载荷曲线呈现整体降低趋势；当恒定温度为380℃和应变速率为0.1 s-1，不同毛坯结构下成形载荷随时间变化呈现成形载荷升至峰值之前，随坯料的结构参数减小呈下降趋势，而成形载荷升至峰值后出现波动下降趋势。
关键词:
约束镦粗
,
成形载荷
,
圆环坯料
,
结构参数
,
理论解析
,
数值仿真
袁俊宝
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杨雯
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陈小波
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杨培志
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宋肇宁
人工晶体学报
采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)系统,以乙硅烷和氢气为气源,石英玻璃和单晶硅片为衬底制备了氢化非晶硅(a-Si∶ H)薄膜.采用扫描电子显微镜、X-射线衍射仪、台阶仪、紫外可见分光光度计、傅里叶变换红外光谱仪和电子能谱仪等分别表征了a-Si∶H薄膜的表面形貌、结晶特性、沉积速率,光学带隙,键合结构和Si化合态等特性.结果表明:随着衬底温度的增加,a-Si∶H薄膜表面的颗粒尺寸减小,均匀性增加,沉积速率则逐渐降低;衬底温度从80℃增加到130℃时,光学带隙显著增加,而在130℃至230℃范围内,光学带隙基本不随衬底温度变化;以SiH键对应的伸缩振动的相对峰强度逐渐增加,而以SiH2或(SiH2)n键对应的伸缩振动的相对强度逐渐减小;a-Si∶H薄膜中Si0+态的相对含量增加.因此,衬底温度大于130℃有利于制备优质a-Si∶H薄膜,230℃是沉积a-Si∶H薄膜的最佳衬底温度.
关键词:
PECVD
,
衬底温度
,
沉积速率
,
光学带隙
,
键合方式
,
化合态
